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首顆“3D封裝”晶片誕生,突破7nm極限,整合600億根電晶體

由 妙語侃科技 發表于 寵物2022-12-05
簡介Bow單個封裝晶片中集成了600億根電晶體,而且採用的是7nm工藝製程

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文|妙語侃科技

臺積電,三星持續攻克高階晶片製程,從5nm到4nm,再往下發展的3nm也在今年實現量產,然後到2025年量產2nm,甚至三星已經規劃了2027年造出1。4nm晶片。可隨著晶片製程的不斷髮展,越往下越難突破。

如果使用先進封裝,或帶來更多的效能提升。業內對先進封裝晶片有怎樣的探索呢?先進封裝能延續摩爾定律嗎?

首顆“3D封裝”晶片誕生,突破7nm極限,整合600億根電晶體

先進封裝晶片的探索

晶片遍佈生活中的各個角落,在一些領域對晶片的製程是有很大要求的。比如智慧手機產品,市面上的高階旗艦手機幾乎都搭載5nm,4nm製程的處理器。

指甲蓋大小的晶片就能整合上百億根電晶體,在有限的手機主機板面積中發揮強勁的效能表現。由於手機主機板面積非常寶貴,所以要想提升晶片的效能,在同樣的晶片尺寸範圍內,只能提高晶片製程工藝,增大電晶體密度,讓晶片容納更多的電晶體。

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只是未來的晶片製程會越來越難突破,而且成本也會增加。那麼有沒有既能節約成本,又能確保晶片效能提升的方式呢?

或許先進封裝是一個方向。用先進的封裝技術來改變晶片搭載,布控方式。行業內探索的“芯粒”“晶片堆疊”等技術其實都是先進封裝的一種。而根據形式類別的不同,會分為平面的2D和立體的3D封裝技術。

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臺積電已經在大力探索先進封裝,並幫助客戶成功造出全球首顆3D封裝晶片。大致來看,臺積電是幫助名為Graphcore的廠商生產出IPU晶片,晶片的名稱為“Bow”。

Bow單個封裝晶片中集成了600億根電晶體,而且採用的是7nm工藝製程。如果是傳統的單顆晶片,7nm能整合幾十億根電晶體已經很不容易了,可以說是突破7nm極限了。

首顆“3D封裝”晶片誕生,突破7nm極限,整合600億根電晶體

就算是5nm製程,市面上主流的晶片也僅僅整合一百多億根電晶體。能做到600億根電晶體的密度,完全得益於先進封裝技術的支援。

那麼這是怎樣的晶片封裝技術呢?其實使用的是臺積電SoIC-WoW技術,透過將兩顆裸片上下疊加,上面的裸片負責供電和節能,下面的裸片保障運算和處理。在兩顆裸片的3D封裝效果下,效能疊加,算力和吞吐量都有所提升。

其實這只是臺積電先進封裝技術的其中一項探索,還有為蘋果公司生產的M1 Ultra採用的是InFO-LSI 封裝。

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從晶片佈局來看,是屬於2D封裝技術,兩顆晶片被左右連線在一起,而非上下疊加。但帶來的提升效果也是很明顯的,M1 Ultra的電晶體數量高達1140億根。

臺積電不僅僅掌握全球領先的晶片製程工藝,而且在先進封裝產業上也進行了很深入的探索,成為先進封裝行業的巨頭。SoIC-WoW,InFO-LSI等封裝技術的運用充分說明這條道路的可行性,只要臺積電堅持發展下去,和行業夥伴們一起共研共創,想必能開創新的先進封裝產業格局。

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先進封裝能延續摩爾定律嗎?

在傳統的晶片製造路徑中,是透過頂級的EUV光刻機,配合晶片製造商頂級的製程技術,造出高階製程晶片。

只是不難發現,晶片製程工藝的突破速度已經放緩了。臺積電在過去幾年可以做到一年推出一代工藝,但是在2023年,臺積電說好的3nm遲遲沒有量產。三星已經量產出3nm,臺積電卻始終沒有動靜。

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還有訊息稱臺積電是因為成本過高,捨棄了初代3nm的工藝。不管情況到底如何,臺積電今年能否量產出3nm,都釋放出一個訊號,那就是臺積電已經在放慢晶片製程突破的腳步了。

即便今年量產出3nm,也需要兩三年以後才能量產2nm,中間用數代3nm工藝升級版來填補製程空白。

這樣的表現和摩爾定律的核心觀點是不符的,摩爾定律指出,積體電路可容納的電晶體每隔兩年會翻倍。簡單來說就是晶片製程可以持續突破,沒有盡頭。

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業內傳出不少摩爾定律終結的訊息,那麼先進封裝能延續摩爾定律嗎?從理論上來看 ,其實是有可能的。

因為合二為一的晶片也算作一個整合,兩顆被疊加組合使用的晶片有更大的晶片上限。甚至在智慧汽車,顯示器等大型終端裝置中,可以容納面積更大的晶片產品,不需要像智慧手機終端一樣,將芯片面積侷限在有限的大小。

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總結

先進封裝正在成為臺積電,三星等行業巨頭積極探索的方向,用先進封裝技術造出各類晶片,滿足多樣化的市場需求。當然,先進封裝技術下如何解決晶片功耗,散熱問題也需要下功夫,就看巨頭們的表現了。

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