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中芯國際的工藝突破

我國半導體產業發展，大部分的資源都是偏向於晶片設計。在晶片製造領域，反而未能達到高階7nm，5nm級別。

因為晶片製造的難度遠遠超過了晶片設計，如果說晶片設計是“紙上談兵”的話，那麼晶片製造就是把這些難度非常大的晶片設計圖給製造出來。有時候拿不到好的光刻機裝置，是很難攻克高階晶片的。

有了高階光刻機還不夠，還要有技術，不然就等於讓一個剛學會用鍵盤的人去開發程式，明擺著力不從心。

而國內最大晶片製造商中芯國際已經在一步步向前邁進，繼N+1工藝完成流片和測試後，這一次中芯國際正式宣佈，14nm工藝的良率達到了業內量產水準。

11月11日，中芯國際釋出了第三季度財報，資料顯示第三季度營收10.8 億美元，環比增長 15.3%，同比增長 32.6%。就在此次的財報業績會上，中芯國際表示14nm工藝自去年第三季度量產以來，良品率已經達到了業內的量產水準。

今年中芯國際的研發任務基本完成了，包括客戶對中芯國際的信心也在大大增加。

此次中芯國際光刻工藝迎來新突破，良率達到業內的水準，是非常大的進步。

工藝突破的意義

中芯國際在取得出色營收成績的同時，也將14nm量產工藝提升到業內水平。據悉，中芯國際是在去年第四季度才正式量產14nm。

雖然14nm和高階的5nm仍然有數代製程差距，但14nm已經能滿足生活中很多需求了。而且工藝突破的意義也是非常重要。

首先第一個，距離高階晶片更進一步。此前中芯國際等同於7nm得N+1工藝已經完成了流片和測試，全IP國產化。N+1是中芯國際第二代14nm工藝，比第一代14nm工藝提升了20%的效能。

功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SOC面積減少了55%，所以N+1是等同於7nm晶片的工藝水準。

如今第一代已經能穩定量產，且達到業內水平，而第二代也完成流片和測試，可見距離高階晶片國產化不遠了。

第二個，極大滿足生活需求，有望實現70%晶片自給率目標。高階晶片的市場範圍主要是在電子消費產品上，這部分的需求大概佔據國內一成，剩餘的九成靠14nm都能滿足。

而且我國定下的70%晶片自給率也有望完成，到時候就不會過度依賴國外進口晶片了，因為我們可以自己造。

國產晶片的路

在晶片製造上，中芯國際取得了重大工藝進展，可能在未來5年內，就能突破高階7nm工藝，在未來10年，進軍5nm。

國產晶片的路還很長，雖然中芯國際今年的研發目標已經完成，但距離成為世界一流水平，顯然還有一段路要走。

但這並不是問題，臺積電能成為世界領先，也是用了33年時間，英特爾成為世界巨頭，更是發展了52年。

他們的例子告訴我們，只有經得起時間的考驗，才能站到最後。中芯國際發展了20年，就已經在現有的技術範疇內，做到了業內水平。

國產晶片的路是漫長的，但也是堅定不移的，相信走到最後，前途會更加光明。

總結

現在看高階晶片可能遙不可及，但那些世界一流的晶片製造企業，也是從低端轉為高階。中芯國際是國內最大的晶片代工廠，為了扶持晶片半導體，最高給予十年免稅的待遇。

在國內半導體產業的扶持下，中芯國際的工藝技術，進步還能更快。

外界的不穩定因素可以共同面對，內部的技術缺陷可以一起攻克。把晶片的技術缺口給填補上，打造堅實的技術壁壘。

對中芯國際的光刻工藝突破你有什麼看法呢？歡迎在下方留言分享。

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