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鋰電池自動點焊機特點介紹，建議關注收藏慢慢看！
鋰電池自動點焊機引數產品名稱：單面雙工位自動點焊機產品型號：CAC-DH-DM01工作電壓：AC220V±10% 50HZ功率≤1000W外形尺寸：890（長）×950（寬）×1635（高）mm裝置重量：180KG適合電池：18650/...
英特爾祭出兩大利器，為摩爾定律再續命
宋繼強表示，目前業界已能實現在單個裝置上集成千億個電晶體，要從現在到2030年提升10倍增加到萬億個電晶體，仍面臨不小的挑戰，要實現這一激進目標，一方面需要繼續依靠電晶體微縮技術，另一方面要透過先進封裝技術，英特爾此次發表的新型超薄2D材料...
解決電晶體高功耗，中國科學家基於外爾半導體研發拓撲相變電晶體
（來源：Science Advances）2020 年，有兩支其他團隊從材料物性角度報道了 Te 是一種外爾半導體後，柴揚覺察到這或許就是他們希望的拓撲相變材料，經過在器件製備和測試方面的細緻準備，其發現 Te 薄膜具有和文獻類似的物性資料...
晶片製造的界限越來越模糊
今年6月，imec提議透過埋入式電源軌（交流電壓和中性線的平行電源路徑）為2nm晶片一代中的這些基本構建塊供電...
量子力學、光刻機、電晶體……摩爾定律背後的戰鬥
在傳統的平面場效應電晶體中，當製成小於28奈米時，漏電電流已經會影響到晶片的良品率，摩爾定律在20納米制程時就險些難以繼續奪魁...
英特爾加力晶片研究：功率與效能將進一步升級
在會上，研究小組發表了9篇論文，概述目前正在開發的技術、這些技術如何推動英特爾晶片的效能與能效改進...
電晶體，它們如何工作？
注意看P部分很狹窄，這保證了沒有其中的電子流動到第二個電源的正極，瞬間一個小的BASE（基極）電流被放大到大的COLLECTOR（集極）電流，你可以輕易察覺到電晶體各極命名與電流性質的關係...
三星3nm技術真的超過了臺積電嗎？
對於三星而言就是第一代3nm工藝（3GAE）電晶體密度較低，但在PPA（Performance效能、Power功耗、Area尺寸）方面應該是可以超過臺積電5nm工藝...
晶片嬌貴，工作溫度不能超過100℃，溫度對晶片有哪些影響？
如果此時它的溫度超過了100℃，那麼高溫首先就會破壞電流的工作路徑，造成諸如漏電，破壞晶片內部結構，改變半導體光學特性等情況，並且這種破壞很難修復...
晶片突破的極限在哪裡，1nm之後呢？
5奈米工藝便是矽晶片的一個技術分水嶺，這時候環繞式柵極電晶體，即GAA FET技術成為新的選擇，不同於Fin FET GAA FET的溝道被柵機極四面包圍，溝道電流比三面包裹的Fin FET更加順暢，能進一步改善對電流的控制，從而最佳化柵極...
什麼是BCD工藝晶片？國產55nm工藝BCD晶片算先進嗎
BCD工藝就是綜合了三種電晶體的優勢，打造高效可靠的電源控制晶片，具有非常廣泛的應用前景...
微波場效電晶體
微波場效應電晶體（FET）微波場效應電晶體有很多型別，主要分為四種類型：結場效應電晶體JFET金氧半導體場效電晶體MOSFET金屬半導體場效電晶體MESFET異質結場效應電晶體HEFT，高電子遷移率電晶體HEMT，假晶態高電子遷移率電晶體...
電腦計算機
諾依曼與第一代計算機第一代計算機第一代計算機基於真空管技術，典型產品有1951生產的UNIVAC，由Mauchly and Eckert設計第一代機的特點：無作業系統，採用機器指令或組合語言基本資訊中文名第一代計算機外文名The first...
別再盯著7nm還是14nm工藝了，都是沒有實際意義的營銷噱頭
在工藝製程方面目前臺積電是領先Intel的，在2020年臺積電會進入5nm工藝，繼續保持對Intel的領先，不過5nm主要是用於手機處理器上面，AMD方面會採用7nm+的工藝，從電晶體密度來看，Intel的10nm和臺積電的7nm+差異要遠...
2nm是晶片哪個部分的長度？全球首顆2nm晶片是很可能是噱頭！
事實上，這個2nm晶片上的電晶體，並不存在任何一個部分的長度是2nm...
半導體器件基礎知識解析
第四部分：用數字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規格號例如：3DG18表示NPN型矽材料高頻三極體日本半導體分立器件型號命名方法日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成...
重磅：科學家利用二維奈米材料噴墨列印電晶體！
導讀愛爾蘭科研人員最近利用二維奈米材料，首次製造出了「印刷而成的電晶體」，這種低成本、可量產的技術，可列印例如太陽能電池、LED等電子裝置，應用於智慧食品、藥物標籤、下一代紙幣、電子護照等產品...
石英到晶片，都經歷了什麼？
一塊晶圓上可以切割出數百個處理器，不過從這裡開始把視野縮小到其中一個上，展示如何製作電晶體等部件...
電力電晶體GTR的開關特性詳解
即ton=td+tr當基極電流突然從正向IB1變為反向IB2時，GTR的集電極電流iC並不立即減小，仍保持ICS，而要經過一段時間才下降...
CPU是如何製造出來的(詳細高畫質圖解)
現在一般採用離子注入法進行雜質擴散，在離子注入機中，將需要摻雜的導電性雜質匯入電弧室，透過放電使其離子化，經過電場加速後，將數十到數千keV能量的離子束由晶圓表面注入...