您現在的位置是:首頁 > 綜藝首頁綜藝

記憶體條的時序是什麼?

由 智友科技 發表于 綜藝2021-08-18
簡介記憶體時序(英語:Memory timings或RAM timings)是描述同步動態隨機存取儲存器(SDRAM)效能的四個引數:CL、TRCD、TRP和TRAS,單位為時鐘週期

時序是什麼

記憶體條的時序是什麼?

買記憶體條的時候我們經常看的是記憶體大小和頻率高低,其實記憶體條引數裡面還有一個叫時序的東西,你知道它是什麼嗎?

記憶體條的時序是什麼?

記憶體時序(英語:Memory timings或RAM timings)是描述同步動態隨機存取儲存器(SDRAM)效能的四個引數:CL、TRCD、TRP和TRAS,單位為時鐘週期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數字,例如7-8-8-24。第四個引數(RAS)經常被省略,而有時還會加入第五個引數:Command rate(命令速率),通常為2T或1T,也寫作2N、1N。這些引數指定了影響隨機存取儲存器速度的潛伏時間(延遲時間)。較低的數字通常意味著更快的效能。決定系統性能的最終元素是實際的延遲時間,通常以納秒為單位。

當將記憶體時序轉換為實際的延遲時,最重要的是注意它是以時鐘週期為單位。如果不知道時鐘週期的時間,就不可能瞭解一組數字是否比另一組數字更快。

記憶體條的時序是什麼?

舉例來說,DDR3-2000記憶體的時鐘頻率是1000 MHz,其時鐘週期為1 ns。基於這個1 ns的時鐘,CL=7給出的絕對延遲為7 ns。而更快的DDR3-2666(時鐘1333 MHz,每個週期0。75 ns)則可能用更大的CL=9,但產生的絕對延遲6。75 ns更短。現代DIMM包括一個序列存在檢測(SPD)ROM晶片,其中包含為自動配置推薦的記憶體時序。PC上的BIOS可能允許使用者調整時序以提高效能(存在降低穩定性的風險),或在某些情況下增加穩定性(如使用建議的時序)。注意:記憶體頻寬是測量記憶體的吞吐量,並通常受到傳輸速率而非潛伏時間的限制。透過交錯訪問SDRAM的多個內部bank,有可能以峰值速率連續傳輸。可能以增加潛伏時間為代價來增加頻寬。具體來說,每個新一代的DDR記憶體都有著較高的傳輸速率,但絕對延遲沒有顯著變化,尤其是市場上的第一批新一代產品,通常有著較上一代更長的延遲。即便增加了記憶體延遲,增加記憶體頻寬也可以改善多處理器或多個執行執行緒的計算機系統的效能。更高的頻寬也將提升沒有專用視訊記憶體的整合顯示卡的效能。

記憶體條的時序是什麼?

而需要了解記憶體條時序的朋友注意了,我們現在就來講講記憶體條時序到底對記憶體條的效能有何影響。

1。CL:列定址所需的時鐘週期(表示延遲的長短)。(關於概念,我們還是點到為止,我們要講的都是實在的。)

確實是同頻率下,CL值越小記憶體條效能越好。從DDR1-4隨著記憶體條的頻率越來越高,CL值也越來越大,但是其真實的CL延遲時間幾乎沒有什麼變化。這說明並不是CL值越大,記憶體條的CL延遲就越大,記憶體條就越差。從DDR1-4 CL值越來越大,相反說明CL越大,能上去的頻率越高。

記憶體條的時序是什麼?

我們來計算一下DDR1-4的CL延遲時間:

DDR-400 3-3-3-8:(3*2000)/400=15 ns

DDR2-800 6-6-6-18:(6*2000)/800=15 ns

DDR3-1333 9-9-9-24:(9*2000)/1333=13。5 ns

DDR4-2133 15-15-15-35:(15*2000)/2133=14 ns

我們再來算算洛極記憶體條的CL延遲時間:

DDR4-2133 16-16-16-36:(16*2000)/2133=15 ns

CL延遲時間是不是差距不大呢?那為什麼DDE4比DDR1-3效能好,當然是因為頻率啊。DDR4頻率比DDR1-3高。因此我們可以得出這個結論:CL值差不多的時候,頻率越高的記憶體條效能就越好。我們也可以得出在延遲時間一定的時候,放寬CL有可能使得記憶體條超頻到更高。所以我們在選同一代的DDR記憶體條時,只要CL值差距不大,那就甭管它,重要的是頻率,誰的超頻高,誰就牛B。(其實這個道理是顯而易見的,只是有的朋友太看重CL了。

2。tRCD:行定址和列定址時鐘週期的差值。

tRCD值對記憶體最大頻率影響最大。記憶體條想要上到一個高的頻率,而如果不能加大電壓和放寬CL值,那麼就只能把tRCD值增大。現在的DDR4一般的1。2V,想要CL值好看,還想要記憶體條能超頻到更高,那就加大tRCD咯,還想要燈光效果,那就把時序統統的加大。所以tRCD大不代表記憶體條差,相反代表記憶體條可以超到一個很高的頻率。(是不是讓那些喜歡時序都小得可憐的朋友有點失望了?)

記憶體條的時序是什麼?

3。tRP:在下一週期之前,預充電需要的時鐘週期。

雖然tRP的影響會隨著頻繁操作一個bank而加大,但是它的影響也會被bank交叉操作和命令調配所削弱。放寬tRP有利於提高行址啟用、關閉的命中率,正確率。放寬tRP可讓記憶體條的相容性更好。

4。tRAS:對某行的資料進行儲存時,從操作開始到定址結束需要的總時間週期。

此操作並不會頻繁發生,只有在記憶體空閒或開始新一個任務的時候才使用它。tRAS值太小有可能導致資料錯誤或丟失,太大的值則會影響記憶體效能。如果記憶體條負荷較大,一般可以稍微放寬tRAS值。記憶體條的效能、功能的定位不同,時序就會不同。你的記憶體條只要在2133MHZ執行,還不要燈效,還不顧相容,再垃圾的廠家也能造出時序好看到極點的記憶體條。大家不妨去看看,是不是有的記憶體條明明很渣,但是時序好看得很。不知道大家有沒有注意,凡是OC記憶體條(超頻厲害的記憶體條),燈條,它們的tRCD、tRP、tRAS一般都比較大。要超頻厲害,要燈光效果,還要保持很好的相容性,必須適當的調節時序。

記憶體條的時序是什麼?

所以,大家以後別看到時序大就“哇”驚呆了,還妄言好壞,免得徒增笑耳。隨著電腦記憶體條的頻率逐漸提升,時序變大是必然的。時序小,只能證明超頻不行。頻率不行,怎麼伺候好CPU老爺呢!買記憶體條,就跟古時候買丫鬟似的,必須要長得標緻,手腳麻利,人美活好。

記憶體條的時序是什麼?

而選購記憶體條的時候如果你要買多一套記憶體來升級電腦,看記憶體條引數的時候時序這個引數也必須注意,如果不一樣的可能會導致不同品牌的同其他引數記憶體條不相容的問題,當然一般情況下是沒什麼問題的。

記憶體條的時序是什麼?