光刻膠是什麼

光刻機

，是製造晶片的核心裝備，學名“掩模對準曝光機”，它長成這個樣子：

上圖是荷蘭ASML公司的光刻機，這玩意非常貴，

通常在 3 千萬~ 5 億美元。

光刻機可以通俗地理解為製造晶片時的“曝光系統”。顧名思義，製造晶片主要是透過“光學曝光”來實現。

圖中的淡藍色就是紫外光

它不光貴，而且特別耗能，開機一天單是光源這項就要3萬度電。

曝光（光刻）的工作原理是在矽片表面覆蓋一層具有高度光敏感性“

光刻膠

”，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過掩模照射在矽片表面，被光線照射到的光刻膠會發生反應。

這裡提到了

光刻膠

。

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，在光刻工藝過程中，用作

抗腐蝕塗層材料（你明白了吧，光刻機是裝置，光刻膠是材料）

。

我隨便找了個光刻膠的圖，就是讓大家理解，它就是“膠”

大家可千萬別小看它，光刻膠是製造晶片時涉及到最關鍵的功能性化學材料。光刻前，要在矽片上塗一層光刻膠，才能開始光刻。光刻膠的質量決定了光刻的精度，就算你有最牛的光刻機，如果沒有好的光刻膠，那也白搭（晶片的效能、成品率以及可靠性都大受影響）。

我們再來說DUV、EUV。

光刻機的曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。

常見的光源分為：

可見光：g線：436nm

紫外光（UV），i線：365nm

深紫外光（

DUV

），KrF 準分子鐳射：248 nm， ArF 準分子鐳射：193 nm

極紫外光（

EUV

），10 ~ 15 nm

現在，你應該瞭解到了，

DUV、EUV都是指的光刻機的光源種類

。沒有光，光刻機也就不能工作了，當然也就不叫“光刻機”了。

EUV光刻，也稱極紫外光刻（Extreme Ultra-violet），它以波長為10-15奈米的極紫外光作為光源的光刻技術——具體為採用波長為13。4nm 的紫外線

為了達到更高的精度，更細的光刻線路，極紫外光從光源出發，需要經過十幾次反射。因為極紫外光它能被很多材料吸收，包括空氣以及折射透鏡。

所以，到達晶圓（矽片）的時候，只剩下不到2%的光線了。。。

目前ASML公司的EUV的極紫外光光刻機的輸出功率是 250 瓦，

要達到這樣的輸出功率，需要0。125萬千瓦的電力輸入才能維持。

也就是說，極紫外光EUV 的能源轉換效率只有 0。02% 左右，

一臺輸出功率為250W的EUV光刻機工作一天，

這也是為啥前面提到光是光源這一項，就會消耗3萬度電。

目前，一提到光刻機，老鐵們，滿眼都是淚。

前面提到的荷蘭

ASML的EUV光刻機。需要41輛半卡車運輸，成本1。5億美元，有10萬個主要部件，有鏡子需要數月的打磨才能達到所需的平滑度，需要多名博士作為機器操作員。相當高科技，不是嗎？

知乎上有個問題：

因此，EUV光刻機可能是人類開發的最複雜的工具。

但，中國人就是永遠不服輸：

所有這些工具都是由人類設計和製造的，物理定律在荷蘭和中國都是一樣的。如果荷蘭能夠做到，那麼其他任何國家都沒有理由以正確的方式失敗。

事實上，中國在這方面已經取得了很好的成績。例如，我們已經有了一臺正在工作的EUV光刻機原型機，在晶片測試、封裝、晶圓生產等方面已經趕上了其他的原型機，而且我們的第一臺浸沒式光刻機（對大多數事情來說已經足夠好了）正準備投入商業使用。

加油中國！