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佳能發售面向後道工藝的 3D 技術 i 線半導體光刻機新品

由 IT之家 發表于 綜藝2022-12-27
簡介IT之家 12 月 8 日訊息,據佳能官方訊息,佳能將於 2023 年 1 月上旬發售面向後道工藝的半導體光刻機新產品 ——i 線步進式光刻機“FPA-5520iV LF2 Option”

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IT之家 12 月 8 日訊息,據佳能官方訊息,佳能將於 2023 年 1 月上旬發售面向後道工藝的半導體光刻機新產品 ——

i 線步進式光刻機“FPA-5520iV LF2 Option”

佳能發售面向後道工藝的 3D 技術 i 線半導體光刻機新品

▲ FPA-5520iV LF2 Option

據介紹,FPA-5520iV LF2 Option 透過 0。8μm 的高解像力和曝光失真較小的 4 個 shot 拼接曝光,

使 100×100mm 的超大視場曝光成為可能

,從而實現 2。5D 和 3D 技術相結合的超大型高密度佈線封裝的量產。

佳能發售面向後道工藝的 3D 技術 i 線半導體光刻機新品

▲ 將四個曝光 shot 拼接,形成一個大型封裝(4shot×4 個)

佳能發售面向後道工藝的 3D 技術 i 線半導體光刻機新品

▲ 2。5D 技術與 3D 技術示意圖

與以往機型“FPA-5520iV LF Option”(2021 年 4 月發售)相比,

本次發售的新產品能夠將像差抑制至四分之一以下

。新產品搭載全新的投射光學系統、採用照度均一性更佳的照明光學系統。

同時,新產品繼承了上一代的多項特性,例如可以靈活應對再構成基板翹曲等在封裝工藝中對量產造成阻礙的問題,以及在晶片排列偏差較大的再構成基板上測出 Alignment mark,從而提高生產效率。

IT之家瞭解到,在半導體晶片的製造工藝中,半導體光刻機負責“曝光”電路圖案。在曝光的一系列工藝中,在矽晶圓上製造出半導體晶片的工藝稱為前道工藝。另一方面,保護精密的半導體晶片不受外部環境的影響,並在安裝時實現與外部的電氣連線的封裝工藝稱為後道工藝。