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華為提交的 EUV 掃描器專利，能讓中國半導體制造走向何方？
華為已提交了一項涵蓋極紫外（EUV）光刻掃描器的專利申請，解決了晶片製造最後一步由極紫外光的微小波長引起的問題...
外媒：臺積電被“截胡”了
再者，美企客戶開始面臨被搶英特爾和三星都在加速推進先進製程工藝，目的就是能夠趕超臺積電...
「技術貼」EUV光刻機的部分核心技術及技術要求有哪些？
雖然透過浸沒式技術和多重光刻技術等，採用ArF光源的光刻機可以滿足7nm節點工藝要求，但是在實際應用中仍然面臨巨大挑戰，首先就是光刻機使用的超純水中可能含有影響晶圓表面而形成缺陷的顆粒物，同時水泡會分散曝光所用的光，歪曲空中的影像而在晶圓的...
繞開光刻機不是ASML？美企官宣之後，美半導體或擾亂行動
在DUV光刻機的市場上，日企的兩家公司都要比ASML強，而且這兩家公司都想要和ASML分庭抗禮，一旦ASML對DUV光刻機的依賴性降低，ASML在DUV光刻機的市場份額就會大打折扣，這也是為什麼美企業會用新技術避開ASML的原因...
比原子彈還難造？全球僅兩國能造，專家：不要氣餒，堅信能成功
我們現在唯一能做的就是不氣餒不放棄，繼續在光刻機的研製道路上不斷前進，堅信終有一日可以突破技術的壁壘，做到領先全球...
外媒：ASML這一次真的“鬧大”了
ASML公司在其首季業績中透露，其光刻機產能預計在2025年將達到90臺EUV和600臺DUV...
丟失華為晶片訂單，光刻機又傳來壞訊息，臺積電怎麼想？
ASML新出2nm、1nm製程的光刻機根據ASML方面透露，新一代NA EUV光刻機基本上完成設計，預計2022年開始商用，可以生產2nm、1nm的晶片...
新突破！國產“晶片”逆勢彎道超車？這5家企業未來堪比大港股份
復旦大學繞開EUV工藝，研發出能夠實現卓越效能的異質CFET技術未來有望堪比大港股份的5家相關企業公司為獨立封裝測試廠家，面向境內外半導體企業提供IC封裝測試服務，已形成年封裝測試積體電路35億塊生產能力，是國內目前唯一實現高階封裝測試技術...
荷蘭為什麼能生產光刻機？
要知道，飛利浦最早的光刻機技術，就是對美國企業的跟隨和模仿，而ASML擊敗尼康，也花了20多年...
186億美元！光刻機巨頭壓力山大了
尤其是臺積電這次下調的40億美元資本支出，還曾表示重點就是ASML的光刻機...
為何太陽日冕在100萬華氏度下嘶嘶作響？物理學家正發掘蛛絲馬跡
在美國宇航局太空太陽動力學觀測臺（SDO）的一系列觀測中，該研究小組發現了電暈的區域，這些區域的重金屬離子含量較高，這些金屬離子包含在磁通量管中——磁場的濃度——攜帶著電流...
攤牌了！華為入局光刻機產業，外媒：這是要向歐美壟斷“宣戰”
其實，早在2016年，華為就開始研發光刻機，而華為也不是孤軍奮戰，包括國望光學、科益虹源、華卓精科、上海微電子等國內頂尖晶片企業都在負重前行，並投入大量的資金和人才參與光刻機的技術研發...
繞開的是光刻機不是ASML？美企官宣後，美半導體或將擾亂行動！
雖然並不清楚雙方溝通之後的結果是什麼樣的，但至少在某種程度上來說美半導體相當需要ASML和自己站在一條線上，如果說美企都在降低對ASML的依賴，以ASML本身在美市場上就不怎麼樣，還要放棄一個偌大的中國大陸市場背景之下，想必ASML不太可能...
光刻機為啥這麼難造？比原子彈還稀有，全世界僅兩個國家掌握技術
正在研發國產光刻機我國光刻機研發面臨的挑戰首先就是我國目前依舊缺乏高效能光刻機制造技術，從光刻機的發展歷程就能看出，它對於工藝節點的要求越來越高...
俄羅斯計劃2028年造出7nm光刻機，不使用EUV技術
之前俄羅斯計劃，採用X射線，進行無掩膜式光刻，來繞開EUV光刻機，實現7nm及以下晶片的製造...
荷蘭“ASML光刻機”有中國零件嗎？網友：沒想到出乎意料
此次美國政府阻止ASML向中芯國際出售光刻機的行為，主要也是因為，根據目前美方的“禁售”規定，任何外國公司在向中國出口商品時，只要美國製造的零件達到了25%以上，就必須向美國尋求出口許可證...
68.7億投資、超2000名員工入駐，ASML的發展重心開始轉移了？
ASML順勢開啟了全球建廠計劃，官宣將會在2025實現90臺EUV光刻機、600臺DUV光刻機的產量，但意外的是新公佈的68.7億投資、2000人入駐的計劃，並沒有放在國內市場，發展重心要轉移了嗎...
低到1nm！ASML官宣了HighNAEUV光刻機新訊息，資訊量有些大
ASML官宣了HighNAEUV光刻機新訊息，資訊量有些大雖然三星和臺積電都宣佈了3nm晶片的量產，但是3nm工藝還沒有出來...
尼康宣佈研發3D光刻機，並計劃明年上市，EUV光刻機不需要了嗎？
其中，高階機型（EUV光刻機）出貨42臺，佔據100%的市場份額...
26億一臺！ASML全新光刻機準備中：Intel提前鎖定 衝擊2nm工藝
據介紹，NXE:3600E 將在像差、重疊和吞吐量方面進行漸進式光學改進，而在0.33 NA的EUV光刻機領域，ASML路線圖包括到2025年左右推出吞吐量約為220wph的NXE:4000F...